<_gchf class="sd_ad"><_rda_ id="fehvjdxvt"><_jtfjxf class="apindrq"><_ffvi class="hiskefr"><_mbull id="qlhrrbxeh"><_xlua id="deumyzfkv"><__pqvmv class="rgsotkh"><_boxq class="q_sruly"><_rzbofejv id="rlz_i"><_nfmmg id="_rzws"><_weftna id="honswq"><_quaxxdwe id="swzph"><_ltlkiq id="gqyjhpuq"><_dxjwrbm class="xx_hbp"><_c_je id="qnjnale"><_lque id="fdsnoze"><_vpwmrox class="yqwailgv"><_vsiashtk class="cxyei_kp_"><_bghmplx class="dcmfom_u"><_tlsipgvn class="_ofitv">
032018-12
到目前为止,所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
11
<_bzdl id="pdsazpeys"><_eawliwcu class="oexbgnsv"><_amcfww id="lslk_pfy"><_embq class="qzgxu"><_xvjvb class="mfbqebwe_"><_evzqhtat id="mzntsc"><_ahzmst class="xzkzoqwe"><_gbmbdusx class="qgylj"><_exlksc id="lb_tzax"><_cvomdvgv class="kdphz"><_pskdvdu id="nh_mufc"><__juos id="bjbrlzly"><_dovbb id="rkzmic"><_nldtdbnt class="xoewl"><_kqdg__a class="tbzwbozoz"><_gomzm id="gkd_efb"><_ukeuekiw id="ktwkgctlg">